存储行业跟踪更新：原厂控产普涨通道开启，静待需求复苏供需双振

存储行业跟踪更新：原厂控产普涨通道开启，静待需求复苏供需双振

NAND：现货价持续普涨，行业拐点明确。根据DRAMexchange，近日（0925-1009）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅为-1.2%~+7.5%，平均涨跌幅为+1.8%，前值为+1.6%。其中eTT料号涨幅普遍较大。同时，GDDR料号价格延续此前上涨行情，涨跌幅由+0.6%。DRAM颗粒现货价持续普涨，合约价后续亦有望跟进上涨，行业拐点明确。三星预计Q4将NAND芯片合约价格调涨10％以上，且最快自10月开始涨价。由于NAND芯片利润比DRAM芯片低，因此三星近期积极推动价格上涨，目标要在24Q2达成NAND芯片事业收支平衡。

NAND：NAND颗粒涨幅扩大，Wafer价格持续上涨。近日（0925-1009）NAND颗粒现货价格环比涨跌幅区间为-0.8%~+3.3%，31个品类平均涨跌幅为+0.7%，前值为+0.6%。其中20个型号价格上涨，10个型号价格持平，1个型号价格下跌。NAND颗粒上涨料号明显增多，整体涨跌幅亦持续扩大，其中中小容量SLC涨幅普遍较大。而NAND Wafer价格整体涨跌幅为+5.3%，依旧保持高速上涨态势。存储市场近期因三大DRAM持续减产，使DRAM价格开始出现涨势。由于Q4 DRAM市场供给量较Q3再度减少20%，预计DRAM合约价有望调涨12～15％。此外，由于DDR4库存水位虽偏高，三大原厂重点减产DDR4，并扩产DDR5，预计至2023年底，DDR5销售比重将可达30％～40％。

美光FY23Q4业绩改善明显，三星预计中国市场明年供给短缺。美光近日发布季报显示，其FY23Q4（2023年6-8月）净亏损11.77亿美元（上季度-15.65亿美元），亏损幅度环比改善，营业利润率也由上季度的-39%收敛为-30%。同时三星预计，随着智能手机的需求复苏，一些市场（特别是中国市场）将在明年出现DRAM和NAND芯片的供应短缺。目前第四季模组厂对客户涨价已成市场共识，合约价也有望随现货价回升，模组厂获利将率先反应。

随着存储龙头的减产落地与下游需求复苏，供需关系改善正加快存储价格修复。当前存储芯片涨势以控货拉价为主，价格涨势的维持最终仍需回归实际需求。通过对产业链主要玩家减产动作、库存及价格开始见底反弹等积极因素的观测，并且在部分DRAM价格上涨、NAND Flash wafer 合约价成功拉涨、国产化主线确定等催化下，行业景气度正在上行修复，接下来观察需求侧何时真正启动，目前仍是预期先行修复，资金左侧逢低关注布局的阶段。看好存储行业周期底部修复反转机会，关注库存涨价弹性、合作伙伴资质较好、受益国产替代的存储芯片以及模组标的东芯股份、兆易创新、江波龙。